Auf ein n-leitendes (negativ leitendes) Siliziumplättchen wird eine
etwa 1 microm dicke, für Dotierungsstoffe undurchdringliche SiO2(Quarz-) Schicht
aufgebracht (oben, links) und darüber eine lichtempfindliche Lackschicht aufgetragen
(oben, Mitte). Durch Auflegen einer Fotomaske, die an den Stellen schwarz ist, an
denen Fenster im Oxid entstehen sollen, verändert sich der lichtempfindliche Lack
beim Belichten so, daß er sich beim anschließenden Entwicklungsprozeß unter den
Schwärzungsstellen ablöst (oben, rechts). Mit einem Mittel, das nicht den Lack,
wohl aber das Si02 löst, wird der durch die Fenster im Lack freigelegte Teil der
Oxidschicht weggeätzt (unten, links). Nachdem der restliche Lack entfernt ist
(unten, Mitte) können nun beim nachfolgenden Diffusionsvorgang an den oxidfreien
Stellen Dotierungsstoffe eindringen und beispielsweise eine p-Ieitende (positiv
leitende) Schicht erzeugen (unten, rechts). Durch erneute Oxydation entsteht wieder
eine geschlossene, vor Verunreinigung schützende Oxiddecke. In diese Oxidschicht
werden nach dem gleichen Verfahren die Fenster für die nächste Diffusion geätzt.
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