Im nächsten Herstellungsschritt werden die Emitter (n+-Gebiete) und die Kontaktstellen der n-Schichten eindiffundiert. Durch das Vorbereiten der Kontaktstellen wird verhindert, daß sich am Metall-Halbleiter-Übergang störende pn-Grenzschichten ausbilden können.
Nachdem alle Bauelemente der Schaltung fertiggestellt sind, muß an sämtlichen Anschlußpunkten das Oxid weggeätzt werden.
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