Aus der Gasphase wird bei hoher Temperatur eine n-Schicht auf der Siliziumscheibe abgeschieden. Diese epitaktische Schicht wächst einkristallin auf dem Grundkristall auf. Sie bildet unter anderem die Kollektorgebiete von npn-Transistoren. Eine erneute p+Diffusion vervollständigt die Trennwände zwischen den einzelnen Bauelementen. Nach einem weiteren fotolithographischen Prozeß werden die Basisgebiete
der Transistoren und die Widerstände durch eine p-Diffusion erzeugt.
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