Das Bild veranschaulicht die ersten beiden Schritte beim Herstellen einer integrierten Schaltung. Rechts ist jeweils im Querschnitt ein einzelner Transistor der entsprechenden Schaltung dargestellt. Bei der ersten Diffusion werden zum Verbessern der elektrischen Eigenschaften an geeigneten Stellen der Bauelemente integrierter Halbleiterschaltungen gut leitende n+-Schichten(stark dotierte n-Schichten) eingebettet. Die eingebetteten p+-Zonen (stark dotierte p-Schichten)
sind Teil einer Isolierwand zwischen den Bauelementen eines Schaltkreises.
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